2SC3324-GR数据表
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-346-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 120 V
集电极—基极电压 VCBO: 120 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
增益带宽产品fT: 100 MHz
系列: 2SC3324
直流电流增益 hFE 最大值: 700
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Toshiba
集电极连续电流: 100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200
Pd-功率耗散: 150 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 12 mg
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